SI4752DY-T1-GE3

Numero di parte di u fabricatore:	SI4752DY-T1-GE3
Fabbricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Parte di Descrizzione:	MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
Schede tecniche:	SI4752DY-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Cundizione Stock:	3356 pcs Stock
Modellu ECad:
Speditu Da:	Hong Kong
Via di Spedizioni:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di partiSI4752DY-T1-GE3
ProduttoreElectro-Films (EFI) / Vishay
DescrizioneMOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
CategoriaProdotti Semiconduttori discreti > Transistors - FET, MOSFET - Single
Part Status3356 pcs Stock
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Vgs (Max)±20V
TecnulugiaMOSFET (Metal Oxide)
Package per Dispositivi Fornitori8-SO
SerieSkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)3W (Ta), 6.25W (Tc)
ImballuTape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura Temperatura-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHSLead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 15V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Tipu FETN-Channel
Caratteristica FETSchottky Diode (Body)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)30V
Descrizione dettagliataN-Channel 30V 25A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C25A (Tc)
SI4752DY-T1-GE3 Dettagli Dettagli [English]SI4752DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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